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반도체 광소자(Semiconductor Optical Device) 연구실

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자외선 이미지 검출을 위한 GaN UV 센서 어레이 제작/교육과학기술부 연구 논문 JeongHoon Seol, et al. "Graphene/Al2O3/AlGaN/GaN Schottky MISIM Diode for Sensing Double UV Bands" IEEE Sensors Journal 16, 18 (2016): 69036906.

Genuv

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• NGaN • PGaN; 자외선센서 부품 : Digital UV Sensor ... Home > 자외선센서 부품 >UVA 센서: UVA Sensor(~370nm) Image: Package Type: Item Name: Chip Size: : COB 2418 PKG: GUVAC22SD: ² : SMD 3528 PKG: GUVAS12SD: ²: SMD 3535 PKG: GUVAS12GD: : TO 46 PKG: GUVAT11GD: ²: GUVAT11GDL: mm²: TO 39 PKG: GUVAT21GDU: …

‘질화갈륨(GaN) 반도체’ 중간점검, 기술 경쟁은 계속된다

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· GaN 반도체 기업 트랜스폼 ... 산업부, ''K센서 기술개발 사업'' 본격 추진…7년간 1865억원 투입 예정 . 한화시스템, 우주인터넷망 구축 기업 ''원웹''에 3억 달러 투자. 한국전력의 불안한 상반기 실적…판매량 늘었는데, 영업이익은 마이너스. 오토닉스, 오토메이션 월드 2021에 참가…최신 자동화 기술 제품 ...

센서기술연구센터 KNU

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GaN를 이용한 자외선 센서개발 . 자외선에 의한 피부암 유발 등의 주요 환경변수를 감지 조기 경보할 수 잇는 체계를 확립하고 화염방사 등을 이용한 재난감지 시스템을 구축하여 종합적인 사회 안정망을 확보하기 위하여 GaN계의 반도체를 이용한 자외선 감지 센서를 연구개발하고 있음 AlGaN/GaN

[SEN루머]예스티, 저전력 GaN 기업 인수…전력반도체 SK와 협업 확대

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· 예스티가 인수를 검토 중인 GaN 전력반도체 기업은 RF 용 GaN power transistor 를 개발해 이동통신사에 제품을 공급하고 있다. 이밖에 초고효율 전력변환용 소자인 GaN power transistor 와 UV 광센서, 수소 가스 센서 등에 쓰이는 GaN Sensor 등을 개발 중에 있다.

SiC 파워 디바이스란?: SiC 반도체의 특징 | 전자 기초 지식 | ROHM …

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GaN; Crystal Structure: Diamond: Hexagonal: Zincblende: Hexagonal: Energy Gap: E G (eV) : : : : Electron Mobility: μ n (cm 2 /V S) 1400: 900: 8500: 1250: Hole Mobility: μ p (cm 2) 600: 100: 400: 200: Breakdown Field: E B (V/cm)×10 6: : 3: : 3: Thermal Conductivity(W/cm°C) : : : : Saturation Drift Velocity: v s (cm/s)×10 7: 1: : 2: : Relative Dielectric Constant: ε S: : …

Genuv

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• NGaN • PGaN; 자외선센서 부품 : Digital UV Sensor ... Home > 자외선센서 부품 >UVB 센서: UVB Sensor(~320nm) Image: Package Type: Part Number: Chip Size: : COB 2418 PKG: GUVBC21SD: : SMD 3528 PKG: GUVBS11SD: ² : TO 46 PKG: GUVBT11GD: ²: GUVBT11GDL: mm²: TO 39 PKG: GUVBT21GDU: mm²: TO 5 PKG: GUVBT21GH: …

Keithley 소스 측정 장치 | Tektronix

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· 자동차 센서 설계 ; View Product. SMU 2600B: 단일 또는 듀얼 채널 시스템 ... 최근에 키슬리는 SiC 및 GaN 장치 테스트의 까다로운 측정 문제를 해결하기 위해 2470 Graphical SourceMeter® 소스 측정 장치를 도입했습니다. 이 애플리케이션 노트는 새로운 소스 측정 유닛을 키슬리의 KickStart 소프트웨어와 함께 ...

세미나 콜로퀴움 AlGaN/GaN HEMT 센서…

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· Title: AlGaN/GaN HEMT 센서플랫폼 (KANCSensGaNTM) 기술 소개 . Speaker: 박 경 호 박사님 (한국나노기술원) Date Time: Oct. 18. (Wed.) 2017, 4:30 PM . Place: Natural Science 1, Room No. 31214. Abstract: 청색 및 자외선 발광소자의 재료로 사용되는 질화갈륨 (GaN) 은 그 우수한 물성특성으로 인하여 발광소자 뿐 아니라 전자소자의 ...

신중하게 고려해야 하는 드론 센서 | DigiKey

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· 드론 설계에 센서 및 이미징 장비 추가를 고려할 때 주요 목표는 이들 사이의 균형을 찾는 것입니다. 이 기사에서는 드론에 센서를 추가할 때 설계자가 고려해야 하는 아키텍처 트레이드오프를 설명합니다. 이때 전원 공급 장치에 특히 주의해야 합니다. 포함된 ...

글로벌 GaN UV 센서 시장 보고서 20212028 분석, 수익, 판매 …

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· 전 세계 GaN UV 센서 시장 20212028에 대한 연구 보고서는 진행 중인 심각한 상황을 보여주며 이러한 라인을 따라 측정 가능한 패턴과 비정상 GaN UV 센서 업계 개척자 및 주목할만한 떠오르는 플레이어와 함께 플레이어. 또한, 전 세계 GaN UV Sensor 시장 내에서 벤처로 식별된 잠재적 위험 요인은 다양한 전략과 방법을 통해 양적, 주관적으로 집중되어 있습니다. 의심되는 ...

GaN UV 센서 시장 규모, 동향, 글로벌 제조 점유율, 산업 통찰력 및 …

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· Axel Reports의 GaN UV 센서 라는 제목의 최근 발표 된 보고서는 글로벌 관점에서 시장에 대한 포괄적 인 그림을 제공 할뿐만 아니라 상세한 세분화, 완전한 연구 및 개발 이력, 최신 뉴스, 오퍼링을 포함한 설명 분석을 제공합니다. 20212027 년 예측 기간 동안 수익 측면에서 예측 및 통계. 이 보고서는 주요 세그먼트, 최근 동향, 경쟁 환경에 대한 포괄적 인 분석을 다루며 ...

GaNLED 기술 동향과 전망

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미국의 SUVOS 프로젝트에서는 생물병원체 검출센서 및 광통신 광원 응용을 목적으로 280~340nm 대역의 UV GaNLED 를 개발하고 있으며, Cree 사는 SiC 기판을 이용하여 405nm 에서 250mW 정도의 높은 광출력을 보고하고 있다.

(PDF) High Sensitivity Hydrogen Sensor Based on AlGaN/GaN ...

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The AlGaN/GaN FETtype sensors with Pt catalyst on the gate area demonstrated significant enhancement of hydrogen gas sensitivity from 16 to 35% at 200°C when GaN …

(PDF) High Sensitivity Hydrogen Sensor Based on AlGaN/GaN ...

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PDF | On Mar 1, 2019, JuneHeang Choi and others published High Sensitivity Hydrogen Sensor Based on AlGaN/GaNonSi Heterostructure AlGaN/GaNonSi 이종접합 기반의 고감도 수소센서 ...

‘질화갈륨(GaN) 반도체’ 중간점검, 기술 경쟁은 계속된다

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· GaN 반도체 기업 트랜스폼 ... 산업부, ''K센서 기술개발 사업'' 본격 추진…7년간 1865억원 투입 예정 . 한화시스템, 우주인터넷망 구축 기업 ''원웹''에 3억 달러 투자. 한국전력의 불안한 상반기 실적…판매량 늘었는데, 영업이익은 마이너스. 오토닉스, …

홀 효과 전류 센서 | 개요 |

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주요 홀 효과 전류 센서 레퍼런스 디자인 1kW, 80 Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인 이 레퍼런스 디자인은 서버 전원 공급 장치(PSU) 및 텔레콤 정류기 애플리케이션을 위한 디지털 방식으로 제어되는 소형 1KW AC/DC 전원 공급 장치입니다.

Genuv

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uGaN / Sapphire substrate. Nomalized Single Spectrum. 300 ~ 700nm. Characteristics (at 25℃) Parameter. Typ. Test Conditions. PL measurement. Peak wavelength.

세미나 콜로퀴움 AlGaN/GaN HEMT 센서…

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· Colloquium AlGaN/GaN HEMT 센서플랫폼 (KANCSensGaNTM) 기술 소개. 아래와 같이 콜로퀴움을 개최하오니 많이 참석해 주시기 바랍니다. 4시 20분부터 제1과학관 31214 e+강의실에서 간단한 다과를 제공합니다. Date …

Gallium Nitride (GaN) ICs and Semiconductors – EPC

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Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is a leader in Gallium Nitride (GaN) based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement mode Gallium Nitride (eGaN) on Silicon transistors for applications such as, wireless power, autonomous vehicles, highspeed mobile communications, low cost satellites, medical devices and classD audio amplifiers with device …

GaN Power Devices: Potential, Benefits, and Keys to ...

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GaN Power Devices: Potential, Benefits, and Keys to Successful Use By Bill Schweber for Mouser Electronics For well over a decade, industry experts and analysts have been predicting that viable powerswitching devices based on gallium nitride (GaN) technology were “just around the corner.” These GaNbased switches would offer greater efficiency, power handling, and other performance ...

QPA2966 20W GaN 광대역 전력 증폭기 Qorvo | Mouser

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센서. 커넥터 . 와이어 및 케이블 ... Qorvo QPA2966 20W GaN(질화 갈륨) 광대역 전력 증폭기는 2~18GHz에서 작동하고 43dBm의 포화 출력 전력을 제공합니다. QPA2966은 Qorvo QGaN15 GaN on SiC(탄화 규소) 공정을 통해 제작되고 전기 사양을 준수하도록 DC 및 RF 테스트를 거친 제품입니다. QPA2966 증폭기는 광대역 통신 ...

GaN UV 센서 시장 2027년까지 기술 동향 및 비즈니스 기회 성장 – …

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· GaN UV 센서 시장 2027년까지 기술 동향 및 비즈니스 기회 성장 – Panasonic, Vishay, Silicon Labs, Balluff, GenUV, GaNo Optoelectronics, Solar Light Company 질화 갈륨 UV 센서 시장 2021년부터 2026년까지 금융 통찰력, 경쟁력있는 비즈니스 성장 전략 풍경

광운대 이지훈 교수 연구팀, ''GaN 자외선 포토센서'' 개발 머니투데이

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· 광운대 이지훈 교수 연구팀, ''GaN 자외선 포토센서'' 개발. 광운대학교는 최근 전자공학과 이지훈 교수 연구팀이 전자공학과 순다쿤와 박사과정 연구원 (제 1저자)과 함께 다양한 메타표면 (metasurface) 플라즈모닉AuAg (GoldSilver) 합금 나노구조물 기반의 GaN 포토센서를 개발했다고 20일 밝혔다. 이 교수 연구팀은 희생층 원자승화 성장법 및 열탈수현상 성장매개 변수의 ...

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자외선센서 측정기 • MG01 (Power selection) • MG02 (Current/RS485) • MG04 (3CH LED) • MG05 (General) • MG06 (Mini) • MG07 (Portable) • Smart UV Checker Ⅱ ; Outdoor; UVCLED 살균기; UV광원 조사기; Epi Service • AlN Template • Blue LED • Green LED • UGaN • NGaN • PGaN

SOD Lab.

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AlGaN/GaN 이종접합 구조를 이용한 이중 파장 검출 자외선 센서 개발 / ... 자외선 이미지 검출을 위한 GaN UV 센서 어레이 제작 / 과학기술정보통신부 (GaN UV sensor array fabrication for ultraviolet image detection) PATENTS GaNFin 구조 및 FinFET를 제조하는 방법 및 이러한 방법으로 제조된 GaNFin 구조 및 FinFET(등록) [10 ...

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자외선센서 부품 : Digital UV Sensor ... Home > Epi Service > UGaN: Image: Series Name : Parts Number : Size(mm3) Specsheet: Epi Wafer : Undoped GaN: 2" (㎜) Feature: Undoped GaN Epi. Wafer Single side polished (Growth surface) Thickness (Included substrate) 430㎛±15㎛ Structure: uGaN / Sapphire substrate: Nomalized Single Spectrum: 300 ~ 700nm : Characteristics (at 25 ...

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